大功率IGBT靜態參數測試儀集多種測量和分析功能一體，可J準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。詳詢一八一四零六六三四七六；該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流J準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。

普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。

大功率IGBT靜態參數測試儀特點

• 高電壓：支持高達3KV高電壓測試；

• 大電流：支持高達4KA大電流測試；

• 高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級J準測量；

• 豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；

• 配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；

• 數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；

• 模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；

• 可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；

• 可定制開發：可根據用戶測試場景定制化開發；

   

  技術指標