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德國EBIC電子束感生電流分析系統
- 品牌:裕隆時代
- 型號: EBIC
- 產地:歐洲 德國
- 供應商報價:¥100
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北京裕隆時代科技有限公司
更新時間:2023-08-31 09:18:08
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業執照
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產品特點
- 作為德國PE公司中國總代理,裕隆時代向用戶提供專業的電子束感生電流分析系統EBIC
EBIC電子束感生電流分析系統是一種基于掃描電子顯微鏡(SEM)的圖像采集及分析系統,主要用于半導體器件及其他材料的失效及結構分析。
它通過分析電子束照射樣品時在樣品內產生的電流信號,以圖像方式直觀表征出樣品特征、樣品中P-N結位置、失效區域,并可以突出顯示樣品的非同質性區域,從而對樣品進行全面分析。 詳細介紹
作為德國POINT ELECTRONIC (PE) 公司中國總代理,裕隆時代向用戶提供專業的的電子束感生電流分析系統EBIC
EBIC電子束感生電流分析系統是一種基于掃描電子顯微鏡(SEM)的圖像采集及分析系統,主要用于半導體器件及其他材料的失效及結構分析。
它通過分析電子束照射樣品時在樣品內產生的電流信號,以圖像方式直觀表征出樣品特征、樣品中P-N結位置、失效區域,并可以突出顯示樣品的非同質性區域,從而對樣品進行全面分析。
EBIC原理
當掃描電鏡電子束作用于半導體器件時,如果電子束穿透半導體表面,電子束電子與器件材料晶格作用將產生電子與空穴。這些電子和空穴將能較為自由地運動,但如果該位置沒有電場作用,它們將很快復合湮滅(發射陰極熒光),若該位置有電場作用(如晶體管或集成電路中的pn結),這些電子與空穴在電場作用下將相互分離。故一旦在pn結的耗盡層或其附近位置產生電子空穴對,空穴將向p型側移動,電子將向n型側移動,這樣將有一靈敏放大器可檢測到的電流通過結區。該電流即為電子束感生電流(EBIC)。由于pn結的耗盡層有最多的多余載流子,故在電場作用下的電子空穴分離會產生較大的電流值,而在其它的地方電流大小將受到擴散長度和擴散壽命的限制,故利用EBIC進行成像可以用來進行集成電路中pn結的定位和損傷研究。EBIC應用領域包括但不限于:
1)材料晶格缺陷探測分析,缺陷以黑點和黑線標識出來;
2)P-N結缺陷區域定位;
3)雙極電路中導致集電極-發射極漏電電流的收集管路的探測;
4)探測額外連接或者多層摻雜;
5)確定靜電放電/電過載(ESD/EOS)導致的失效位置;
6)測量減壓層/耗盡層(depletion layer)寬度和少數載流子擴散長度和時間(minority carrier diffusion lengths/lifetimes)
等等。
EBIC圖像對于電子-空穴的重新組合非常敏感,因此EBIC技術能夠非常有效的對半導體材料缺陷等進行失效分析。
EBIC acquisition
The best quantitative electronics and Software for Electron Beam Induced Current (EBIC)
Correlate topography,composition and structure with elecrical activity
Record simultaneous EBIC, SE, BSE and EDS signals
Colour and mix signals for spatial correlation
Distinguish between active and passive defects
Enable TEM or atom probe microscopy sample preparation
Localise defects with sufficient resolution for TEM sample preparation
Avoid alignment error by directly imaging defects with EBIC in FIB SEM
Use live EBIC imaging to stop ion milling for sample preparation
Verify device operation modes with built-in DC biasing and live overlay
Image junctions and fields in delayered devices
Map electrical activity of solar cells under bias
Compare imaged behaviour with device modelling
Map junctions defects with the highest possible resolution
Correlate structural defects with electrical activity
Map active areas of junctions and electrical fields
Validate doping profiles and areas
Access third dimension with depth profilingManipulate depth of EBIC signal by changing kV in SEM
Investigate EBIC images of cross-sections in FIB-SEM
Export EBIC depth series for 3D reconstruction
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