鈮酸鋰電光調制器

Thorlabs自由空間電光(EO)振幅和相位鈮酸鋰調制器是我們在晶體生長和電光材料方面經驗的結晶。我們的電光調制器使用摻氧化鎂的鈮酸鋰，用于高功率工作。調制器有一個SMA RF輸入端，直接兼容我們的HVA200高壓放大器(請見下方)。我們提供寬帶DC耦合和高Q共振型號。

特性：

• 高性能，緊湊封裝

• 寬帶DC耦合或高Q共振

• 2 mm直徑通光孔徑

• 摻氧化鎂的鈮酸鋰晶體

• SMA RF調制輸入接頭

• DC到100 MHz

• 提供定制OEM版本

驅動電光調制器所需的半波電壓與光信號波長相關。

紅線和藍線對應的是非共振電光調制器，

綠線對應的是共振調制器。

共振調制器顯示的半波電壓是20 MHz版本的典型值。

DC耦合非共振調制器

我們的非共振電光調制器由一個封裝在外殼內的電光晶體構成，經過優化，可在DC至100 MHz的任何頻率下工作。用戶bi須提供一個連接到SMA射頻輸入端的外部高壓驅動器，以實現所需的調制。HVA200驅動器可用于高達1 MHz的頻率。放大器相關需求請查看規格標簽。這些振幅和相位調制器可選-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜。關于鍍膜的反射率請看曲線標簽。

高Q共振調制器

Thorlabs的共振電光調制器的驅動電壓要低得多，但利用內置的高Q共振電路，可在固定頻率下工作。我們的標準共振調制器可選振幅和相位調制版本，工作頻率20 MHz，Q值約為15，鍍有-C1(600 – 900 nm)增透膜。請注意，其他定制共振頻率下的Q值可能會不同。關于鍍膜反射率的詳細信息，請看曲線標簽。我們提供標準和定制鍍膜選項，用戶還可指定從0.1到100 MHz的共振頻率。請聯系技術支持。

驅動器和配件

因為負載幾乎為純電容性，所以驅動這些非共振、自由空間調制器有時很有難度。我們的HVA200高壓放大器具有低噪聲、±200 V輸出和1 MHz帶寬，在滿足特定工作條件時，非常適合驅動我們的非共振EO調制器。400 V輸出擺幅使HVA200能夠完quan調制我們的非共振振幅調制器，波長gao達~1200 nm，還可調制我們所有波長的非共振相位調制器。HVA200還提供可調直流偏壓，可對振幅調制器的正交工作點進行電學補償，并有xiao利用±200 V雙極輸出擺幅。

為了驅動頻率高于1 MHz或波長更長的非共振調制器，需要具有足夠輸出功率、線性度和帶寬的zhuan用放大器來驅動電容性負載。這些調制器的性能與標準50 Ω負載不同。詳細信息，請聯系技術支持。

另一方面，共振調制器的共振電路在共振頻率下被調整為50 Ω負載。這意味著它們可以用為50 Ω阻抗設計的標準頻率發生器以較低的電壓驅動。請注意，發生器bi須調諧到與調制器設計頻率完quan相同的頻率。Thorlabs可以定制共振調制器，使其工作在0.1到100 MH之間的任何頻率上。但是，Q值與共振頻率相關，與20 MHz的型號相比，可能有很大差異。詳細信息，請聯系技術支持。

Thorlabs還提供格蘭湯普森偏振器安裝轉接件，以及將調制器集成到FiberBench準直硬件中的安裝座(見下)。

電光相位調制器

我們的電光相位調制器能夠對線偏振入射光提供可調相位差。入射光沿豎直方向線偏振，即晶體的Z軸方向。通過RF輸入端在Z軸電極上施加電壓，使晶體的非尋常光折射率發生變化，以此使光信號產生相位差。

控制信號可以是DC或隨時間變化的RF信號。當控制電壓信號隨時間變化，光束將受到頻率調制，部分基頻能量將轉到邊帶中，邊帶與基頻間隔是調制頻率的整數倍。轉到邊帶的能量大小由調制深度決定。右圖展示了邊帶的相對強度和調制深度的關系。

規格

1. -C4波段(400 - 600 nm)工作的AM調制器僅用于幾赫茲以上的AC調制。詳情請看概述標簽里的綠色方框。

2. 可根據要求提供其他增透膜范圍。詳情請聯系技術支持。

3. 提供0.1 - 100 MHz的共振頻率。注意，Q值與共振頻率相關，與20 MHz的型號相比，可能有很大差異。詳情請聯系技術支持。

4. 調制到更大的相移或更長的波長可能會導致諧振調制器超過3 W(對應35 Vpp)的射頻功率限制。

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