QSense? Omni 耗散型石英晶體微天平——高效無憂的QCM-D技術   創新引領未來

QCM-D技術的開創者

瑞典百歐林科技有限公司與查爾姆斯理工大學是QCM-D技術的開創者，QSense?為納米級表界面相互作用跟蹤和表征提供領先的、高端的耗散型石英晶體微天平。QSense? 耗散型石英晶體微天平通量高、易于使用，可以為您提供獨特的、可重復的和有深度的數據。這有助于您了解反應的基本原理過程、提前預測真實結果以及優化產品和流程，以適應真實的反應條件。擁有一臺QSense耗散型石英晶體微天平，可以使您和您的團隊一直處于科學進步和技術創新的最前沿。

QSense? Omni是我們最新一代QCM-D耗散型石英晶體微天平，現有的技術加上幾十年對表界面相互作用的深度理解，QSense? Omni可以為您提供更清晰的結果和更順暢的實驗過程。QSense? Omni可以更快展示您獨到的見解，并基于高度可控的測量結果做出更可靠的結論。

QSense? Omni 適用場景：

您需要簡單易用

? 開箱即用的解決方案

? 開啟工作所需的一切皆已包含

您需要靈活性

? 自由構建滿足您現在和將來需求的系統

您需要自動化

? 最大限度地減少操作時間

? 最大限度地提高可重復性

您重視數據質量

? 從全新一代高端QCM-D儀器中獲取值得信任的結果

QSense? Omni 技術特點：

? 自動樣品切換

? 自動運行QC程序

? 直接注入液體

? 快速液體交換

? 芯片自動鎖緊

? 集成樣品加熱艙

? 各通道流速獨立調節

? 實時編輯程序

三個選用QSense? Omni的原因：

數據解析更容易

優異的信號處理和快速可重復的液體交換，QSense? Omni為您提供清晰、簡潔的數據。數據解析和分析更為輕松自信。

實驗過程更順暢

得益于直觀的設計、智能的工作流程和靈巧的自動化，成功進行QCM-D實驗并獲取可信和可重復的結果變得輕松簡單。生產力大幅提高，工作更有效率。

與研究共同成長

設計卓越、功能智能，QSense? Omni為科學進步和未來創新量身定制。升級到更多通道或增加QSense Orbit來構建更多元化的實驗設置和補充測量，您可以輕松跨越入門級門檻，讓QSense? Omni與您的研究共同成長。

QSense芯片——多種芯片表面可選：

QSense芯片是QCM-D測量的核心。芯片涂層的選擇對于您的實驗至關重要。百歐林科技可提供超過我們提供50種標準芯片涂層和200多種定制芯片，涵蓋各種材料，包括金屬、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂層和標準化土壤。您可以從種類繁多的芯片中找出哪種芯片材料和涂層最適合您的研究。也可以根據您的需求讓百歐林為您量身定制，我們可以讓您盡可能接近真實的反應條件。

百歐林科技開發和生產的芯片，經過嚴格的驗證。QSense芯片將為您的QSense系統提供穩定、可靠和可重復的數據。芯片建議一次性使用。

QSoft Omni 軟件：

一同領略 QSoft Omni 軟件的風采吧！一個全新的、用戶友好的軟件，旨在幫助您完成實驗設置并成功獲得實驗數據。當您在準備實驗時，QSoft Omni 軟件會在后臺進行QC程序，確保測量條件最佳。QSoft Omni幫您采集數據，而Dfind使您的數據分析更輕松。

圖片 2：QSoft Omni 軟件

QSoft Omni 軟件主要特點：

?    引導式工作流程帶領您完成實驗設置

?    后臺自動運行QC程序，確保實驗結果最佳

?    拖放界面和實時編輯使程序開發變得更為輕松

?    事件日志自動記錄自動操作和用戶注釋

QSense? Omni模塊及配件——探索更多：

瀏覽以下可選配模塊，擴展您的實驗設置和可能性。

QSense濕度模塊

用于測量芯片上涂覆的薄膜對蒸氣的吸收和釋放。

QSense窗口模塊
該系統可以在芯片表面上同時進行QCM-D測量和顯微鏡觀察。您還可以進行對光或輻射敏感的實驗。

QSense 電化學模塊
想在同一表面上同時進行QCM-D和電化學測量？該模塊支持多種電化學方法，如循環伏安法和電化學阻抗測量，可探索如聚合物的界面行為、靜電相互作用、腐蝕性能等。

QSense電化學窗口模塊

該模塊可在芯片表面上同時進行QCM-D測量和光學、電化學測試，該模塊通常用于光伏等應用。

QSense開放模塊

開放模塊無需管路，樣品需求量低。您可以直接移液少量液體確保覆蓋芯片即可。該模塊可進行樣品揮發性、外部觸發反應（如光誘導反應和化學觸發反應）等研究。

QSense濕度模塊

用于測量芯片上涂覆的薄膜對蒸氣的吸收和釋放。

QSense ALD（原子層沉積）樣品架

適用于真空或氣相環境測量。

QSense PTFE流動模塊

適用于對鈦材料敏感的測量體系。類似于標準流動模塊(QFM 401)，但流路部分的鈦被PTFE替換。

QSense? Omni技術參數：

讓我們深入了解下QSense Omni的技術性能，您還可以將這些參數與其他QSense儀器進行比較。

所有規格可能會在未經通知的情況下更改

b. 溫度穩定性取決于外部環境對樣品艙的加熱或者制冷。如果由于氣流或熱源等原因，室溫變化超過±1℃，可能無法達到指定的溫度穩定性。

c. 數據測試條件如下：QSX 303 SiO2芯片在25℃的去離子水中測量，流速為20μl/min，數據采集速率為每秒1個數據點，測量時長1小時。用于分析的數據間隔為2分鐘。等待超過1小時可以獲得更好的穩定性。

d. 重量不包括外部電源。

QSense? Omni實際性能：

更高的采樣速率不可避免地會產生更高的噪音和提高檢出限。通過明顯降低噪音水平，QSense? Omni極大地降低了檢出限。下面的圖表描述了QSense? Omni在三種不同采樣間隔下的檢測限，可以看出在高采樣頻率下檢出限也可以做到非常低。下面的圖表列出了每種采集模式下的采集速度和檢出限（LOD）。

表1 a：性能特征

圖2a：每種采集模式下的采集速度和檢出限（LOD）。不同的采樣間隔下的理論檢測限（LOD）。檢測限設定為頻率噪音水平的3倍。

a 實驗條件如下：QSX 303 SiO2芯片在20°C溫度下、流量15μL/min的去離子水中使用一個測量通道進行測量。每種測量模式測量5分鐘，根據1分鐘時間范圍內采集數據點的標準偏差，統計確定噪音數據。