牛津離子束刻蝕機Ionfab 300 IBE

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離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調，以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。

。多模式功能
。能夠與其它等離子體刻蝕和沉積設備相集成
。單晶圓傳送模式或集群式晶圓操作
。雙束流配置
。更低的表面薄膜粗糙度
。更佳的批次均勻性和工藝重復性
。準確終點監測 —— SIMS，發射光

產品特點:

· 質量薄膜高 ——超低污染

· 產量高，緊湊的系統體積設計 ——運行成本低

· 已獲得ZG的高速襯底架（高達1000RPM）設計，并配備了白光光學監視器（WLOM）——更為準確的實時光學薄膜控制

· 配置靈活 ——適于先進的研究應用

· 靈活的晶圓操作方式 —— 直開式、單晶圓傳送模式或者帶機械手臂的盒對盒模式

應用:

· 磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）

· 介電薄膜

· III-V族光電子材料刻蝕

· 自旋電子學

· 金屬電極和軌道

· 超導體

· 激光端面鍍膜

· 高反射（HR）膜

· 防反射（AR）膜

· 環形激光陀螺反射鏡

· X射線光學系統

· 紅外（IR）傳感器

· II-VI族材料

· 通信濾波器