電子發射源：采用肖特基發射源，使用壽命不低于1500小時

加速電壓：200 eV-30 keV

電子束束流：10pA-200nA

電子束束斑尺寸：≤3.0nm@30keV

寫場速度：最高可達到20MHz pixel frequency

最大寫場尺寸：500μmx500μm

分辨率(最小線寬):20nm*

拼接精度：≤±50nm(mean+3o)

套刻精度：≤±50nm(mean+3o)

樣品臺移動范圍：100mm

可加工樣品的最大尺寸：4英寸晶圓

標準配置

采用激光干涉儀定位樣品臺

由送樣開始至樣品室真空達到可以工作的時間不多于10分鐘

采用自動進樣系統，進樣過程中無需人為干涉，配置有光學導航系統

采用Windows操控系統，在硬件允許的情況下，終身免費升級

提供UPS不間斷電源(一臺)

具備主動及被動減震系統，保證電子束曝光系統的整體穩定性。