MCP在極端條件下的穩(wěn)定性：從磁特性變化到溫度系數(shù)的深入探討
在現(xiàn)代科技領(lǐng)域，微通道板（MCP）因其卓越的性能而在各種高端探測設備中發(fā)揮著重要作用。然而，MCP在磁場和溫度等外部條件變化下的穩(wěn)定性和性能表現(xiàn)，對于其應用的可靠性和準確性至關(guān)重要。本文將深入探討磁場對MCP性能的影響，以及溫度和真空環(huán)境對MCP工作狀態(tài)的影響，旨在為科研人員和工程師提供實用的指導和建議，以確保MCP在各種復雜環(huán)境下的最優(yōu)性能。
微通道板（MCP）特性參數(shù)解析
小型質(zhì)譜儀低真空度問題怎么破？第三代MCP了解下
一封來自ALD-MCP的自白書
想選好用好微通道板（MCP），這5個參數(shù)得了解一下！
磁場
與普通光電倍增管（PMT）的使用相比，微通道板（Microchannel Plate，MCP）受到磁場的影響比較小。磁場對MCP使用影響的大小取決于磁場與MCP通道軸之間的方向。圖1顯示了不同磁場方向的磁場大小對MCP輸出變化的影響，測試時通過使用紫外線照射MCP，然后在遠離MCP輸出端3 mm的地方放置陽極來測量其輸出信號。
圖1 磁特性變化曲線
當MCP必須在高于1 T（特斯拉）的強磁場中工作時，我們可以選擇小通道直徑的MCP，并將其通道軸與磁場平行。即使在高達2 T的磁場中使用，也是沒有任何問題。圖2 為MCP-PMT的磁性特性變化曲線，它里面是一個6 μm通道直徑的兩級MCP。
溫度
由于MCP的溫度系數(shù)為負，因此其電阻值隨環(huán)境溫度的升高而減小。MCP本身在工作過程中由于熱量的原因會導致溫度增加，如果在高溫下運行，其電阻會降低。電阻的降低也會產(chǎn)生進一步的焦耳熱，而重復的加熱和電阻的降低過程會導致熱失控，損傷MCP。為了避免這種情況，MCP必須在-50 °C到+70 °C的溫度范圍內(nèi)工作。
真空環(huán)境
由于MCP的每級裸片大約在1 kV的高壓下工作，因此需要一個相對較高的真空條件環(huán)境。如果MCP在較低的真空下運行，不僅會引起通道中噪聲的增加，而且會引起壽命的縮短，最壞的情況下，可能會導致MCP的放電。為了避免此問題，在MCP工作時，真空液位應保持在1.3×10-4 Pa或更高。
以上就是本期的全部內(nèi)容，如有疑問，隨時留言。
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