英國(guó)Oxford 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaPro 800 RIE

概述：

PlasmaPro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺(tái)能夠處理量產(chǎn)級(jí)別的批量以及300mm晶圓的工藝。

高性能工藝

準(zhǔn)確的襯底溫度控制

準(zhǔn)確的工藝控制

成熟的300mm單晶圓失效分析工藝

選項(xiàng)

PlasmaPro 800 PECVD

旨在生產(chǎn)高質(zhì)量的均勻介質(zhì)薄膜。PECVD 中的應(yīng)力控制是由可選的或者混合的高/低頻等離子體源提供的, 使通過(guò)調(diào)整工藝得到具有張應(yīng)力，壓應(yīng)力或者低應(yīng)力的沉積薄膜成為可能。

PlasmaPro 800 RIE/PE：在同一設(shè)備上結(jié)合了RIE的各向異性和 PE模式刻蝕的高選擇性。

PlasmaPro 800 RIE：成熟的干法刻蝕廣泛應(yīng)用于整個(gè)工業(yè)領(lǐng)域。

特征：

為化合物半導(dǎo)體、光電子和光子學(xué)應(yīng)用提供了最大的工藝靈活性，PlasmaPro 800 可提供：

大型下電極 - 低成本

刻蝕終點(diǎn)監(jiān)測(cè) - 可靠性和可維護(hù)性俱佳

通過(guò)激光干涉儀與/或發(fā)射光譜進(jìn)行終點(diǎn)監(jiān)測(cè) - 增強(qiáng)刻蝕控制

可選擇帶有4-、8-或12-條氣路的氣柜 - 可提供靈活的工藝和工藝氣體，可以與主機(jī)分離，放置在遠(yuǎn)端服務(wù)區(qū)

近距離耦合渦輪泵 - 提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度

數(shù)據(jù)記錄 - 追溯腔室的歷史狀態(tài)以及工藝條件

液體冷卻和/或電加熱電極 - 出色的電極溫度控制和穩(wěn)定性

應(yīng)用：

使用我們的具有特殊配置的失效分析設(shè)備進(jìn)行干法刻蝕解剖工藝 —— 具有RIE和 PE兩種模式
RIE／PE工藝涵蓋了從封裝好的芯片和裸芯片到整片300mm晶圓刻蝕
高質(zhì)量的PECVD 沉積的SiNx和SiO2薄膜 ，適用于光子學(xué)、介電層鈍化和諸多其它領(lǐng)域
SiO2，SiNx和石英刻蝕
金屬和聚酰亞胺有機(jī)物刻蝕
用于高亮度LED生產(chǎn)的鈍化沉積
III-V族刻蝕工藝