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反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaStar 200

品牌：美國(guó)AXIC
型號(hào)： PlasmaStar 200/200RIE
產(chǎn)地：美洲美國(guó)
供應(yīng)商報(bào)價(jià)：￥1

武漢邁可諾科技有限公司更新時(shí)間：2025-05-14 15:37:40

銷售范圍售全國(guó)

入駐年限第8年

營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核

同類產(chǎn)品反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(2件)

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詳細(xì)介紹

PlasmaSTAR?模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的獨(dú)特功能。腔室材料是硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁，有幾種不同的電極設(shè)計(jì)，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替多層托盤(pán)電極，用于最小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形籠式電極。

型號(hào)：反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaStar 200/200RIE

產(chǎn)地： 美國(guó)

品牌： Axic

環(huán)球供應(yīng)，本地服務(wù)！MYCRO專業(yè)為您提供實(shí)驗(yàn)室RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)設(shè)備，全方位的技術(shù)服務(wù)及售后，MYCRO值得您的的信賴！

技術(shù)規(guī)格：

型號(hào)	PlasmaStar 100	PlasmaStar 100RIE	PlasmaStar 200	PlasmaStar 200RIE
艙體尺寸	直徑254×深度356mm	直徑200×深度280mm	寬305×高305×深406mm	寬305 ×高200×深406mm
艙體材質(zhì)	標(biāo)配為陽(yáng)極氧化鋁艙體
常用氣體	空氣，氧氣，氫氣，氬氣，氮?dú)猓?/span>CF4，SF6等和其他混合氣體
氣路控制	標(biāo)配2路MFC，PlasmaStar 100最多可選配4路，		標(biāo)配2路MFC，PlasmaStar 200最多可選配5路；
控制系統(tǒng)	電阻觸摸屏操作界面
程序控制	PC觸屏控制，可編程序，無(wú)線存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
射頻頻率	13.56 MHz
射頻功率	0~600W瓦之間距連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)匹配		0~1000W瓦之間距連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)匹配
電極設(shè)計(jì)	標(biāo)準(zhǔn)圓柱形籠式電極；		標(biāo)準(zhǔn)圓柱形籠式電極；可選交替多層托盤(pán)電極；可選RIE平面處理水冷平板電極
設(shè)備尺寸	寬800 x 深850 x 高525mm；		寬1033 x 深850 x 高635mm；