NMC ICP反應離子刻蝕機（用于介質薄膜）

一、反應離子刻蝕機產品簡介：

反應離子刻蝕機主要用于介質薄膜干法刻蝕，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。

二、反應離子刻蝕機技術參數：

1.氣體種類：O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等

2.基片尺寸：zui大支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

3.射頻電源     ICP電源：13.56MHz，1400W; 偏壓電源：13.56MHz，800W

4.工藝溫度：10℃到80℃可控

5.傳送模式：自動Loadlock傳送系統

公司主要研發、制造和銷售的檢測儀器有：電壓擊穿試驗儀、高壓漏電起痕試驗儀、耐電弧試驗儀、鐵電材料測試儀器、介電常數及介質損耗測試儀、表面及體積電阻率測試儀、壓電材料測試儀器、熱電材料測試儀器、絕緣材料電性能檢測設備、高溫管式爐\反射爐\氣氛爐、高溫電性能測試設備、Huace靜電檢測儀器、硅橡膠\絕緣子行業測試設備、PCB\三防漆電子材料測試、電氣薄膜電學檢測儀器、高低壓電氣材料測試設備、電線電纜行業電學測試設備、高分子材料電學測試儀器、熱分析儀器、電氣安規檢測儀器、半導體芯片類測試儀器等，可接定制儀器訂單。